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SI4435DYPBF中文资料

SI4435DYPBF图片

SI4435DYPBF外观图

  • 大小：116.63KB
  • 厂家：IRF
  • 描述：HEXFET Power MOSFET
  • 标准包装：95
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 毫欧 @ 8A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2320pF @ 15V
  • 功率 - 最大：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SO
  • 包装：管件

SI4435DYPBF供应商

更新时间:2023-01-01 03:12:52
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